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Sviluppo della tecnologia per la realizzazione di giunzioni Schottky e contatti ohmici

30 novembre 2001
INFM - Istituto Nazionale per la Fisica della Materia

Posti:
1
Requisiti: diplomati universitari in fisica o ingegneria elettronica
Sede: dipartimento di ingegneria elettronica Roma Tre
Tema: Sviluppo della tecnologia per la realizzazione di giunzioni Schottky e contatti ohmici su film di diamante policristallino
Limite di età: nd
Importo: Lire 20.000.000 annui
Periodo di utilizzo: nd
Scadenza: 12 dicembre 2001 
Durata: 36 mesi

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30 novembre 2001
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