Sviluppo della tecnologia per la realizzazione di giunzioni Schottky e contatti ohmici
Posti: 1
Requisiti: diplomati universitari in fisica o ingegneria elettronica
Sede: dipartimento di ingegneria elettronica Roma Tre
Tema: Sviluppo della tecnologia per la realizzazione di giunzioni Schottky e contatti ohmici su film di diamante policristallino
Limite di età: nd
Importo: Lire 20.000.000 annui
Periodo di utilizzo: nd
Scadenza: 12 dicembre 2001
Durata: 36 mesi